【摘 要】
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随着光通信和光互联的高速发展,研究调制速率高、器件尺寸小且易于集成的电光调制器具有重要意义.提出了一种基于Si绝缘体材料(silicon-on-insulator,SOI)的一维光子晶体纳米梁腔(photonic crystal nanobeam cavity,PCNC)侧耦合电光调制器.根据时域耦合模理论,通过主线波导与一维光子晶体纳米梁腔形成侧耦合结构.采用圆柱型渐变孔径的一维光子晶体纳米梁腔,使光束更好的束缚在腔内,调整纳米梁腔的结构参数,使其工作在通信波段波长.同时,根据自由载流子色散效应,在纳米
【机 构】
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南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院,江苏南京210023;南京邮电大学贝尔英才学院,江苏南京210023
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随着光通信和光互联的高速发展,研究调制速率高、器件尺寸小且易于集成的电光调制器具有重要意义.提出了一种基于Si绝缘体材料(silicon-on-insulator,SOI)的一维光子晶体纳米梁腔(photonic crystal nanobeam cavity,PCNC)侧耦合电光调制器.根据时域耦合模理论,通过主线波导与一维光子晶体纳米梁腔形成侧耦合结构.采用圆柱型渐变孔径的一维光子晶体纳米梁腔,使光束更好的束缚在腔内,调整纳米梁腔的结构参数,使其工作在通信波段波长.同时,根据自由载流子色散效应,在纳米梁腔两侧引入掺杂形成p-n结,施加较低偏压调节纳米梁腔的谐振波长,从而实现对工作波长光信号的“通”“断”调制.应用三维时域有限差分法(3D-finite differ-ence time domain,3 D-FDTD)对调制器光学特性和电学性能进行仿真分析.结果 表明,该电光调制器可以实现波长为1550.55 nm的光信号调制,调制电压仅为1.175 V,插入损耗为0.04 dB,消光比为18.2 dB,尺寸仅为25μm2,调制速率为8.3 GHz,调制带宽可以达到90 GHz,可应用于集成光子器件及高速光通信领域.
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