【摘 要】
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砷化镓集成电路在这十年间由于器件基本结构、材料生长技术等的迅速发展,已达到实用化的阶段。现以器件结构为中心,对最近砷化镓集成电路的动向作一介绍。
GaAs integrated
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砷化镓集成电路在这十年间由于器件基本结构、材料生长技术等的迅速发展,已达到实用化的阶段。现以器件结构为中心,对最近砷化镓集成电路的动向作一介绍。
GaAs integrated circuit in the past decade due to the basic structure of the device, material growth technology, rapid development has reached the practical stage. Now the structure of the device as the center, the recent trend of gallium arsenide integrated circuit for an introduction.
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