【摘 要】
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本文报导1.3μm InGaAsP/InP内条限制部分注入全金属化耦合封装侧面发光二极管的结构、制作及器件特性。在100mA工作电流下,器件尾纤出纤功率典型值40μW,最大超过60μW,光谱
【机 构】
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本文报导1.3μm InGaAsP/InP内条限制部分注入全金属化耦合封装侧面发光二极管的结构、制作及器件特性。在100mA工作电流下,器件尾纤出纤功率典型值40μW,最大超过60μW,光谱宽度70nm,上升/下降时间小于2.5ns。该器件是中短距离,中小容量光纤通信系统和光测量系统的理想光源。
This article reports the structure, fabrication, and device characteristics of a 1.3μm InGaAsP / InP in-band limited portion of an all-metalized-package side-emitting LED. At 100mA operating current, the device pigtail fiber output power of 40μW typical, the maximum over 60μW, spectral width 70nm, rise / fall time of less than 2.5ns. The device is ideal for short, medium and small capacity fiber optic communication systems and light measurement systems.
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