【摘 要】
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一、概述 分子束外延(简称MBE)技术是七十年代国际上迅速发展起来的一项新技术。它是在真空蒸发工艺基础上发展起来的一种外延生长单晶薄膜的新方法。1969年对分子束外延进行
【机 构】
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兰州物理研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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一、概述 分子束外延(简称MBE)技术是七十年代国际上迅速发展起来的一项新技术。它是在真空蒸发工艺基础上发展起来的一种外延生长单晶薄膜的新方法。1969年对分子束外延进行研究主要为美国的贝尔实验室和IBM两家,另外英国和日本也在进行研究,我国于1975年也进行研究。到目前为
I. Overview Molecular beam epitaxy (referred to as MBE) technology is the rapid development of the seventies in the world a new technology. It is based on the vacuum evaporation process developed a new method of epitaxial growth of single crystal thin film. In 1969, molecular beam epitaxy was mainly studied in Bell Labs and IBM in the United States. In addition, researches were conducted in Britain and Japan. In 1975, China also conducted research. So far
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