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对一种采用新结构的LDMOS（lateral double diffused metal oxide semiconductor）器件建立了模型．该器件在LDMOS中采用异质双栅（dual material gate，DMG）结构，这样使得该器件（DMG-LDMOS）同时具有LDMOS和DMG MOSFET的特性和优点．给出了DMG-LDMOS中沟道区表面电势和电场的一维表达式，并在此基础上考虑了大驱动电压下引入的沟道载流子速度过冲效应的影响，建立了基于物理的沟道电流模型．最后比较了Medici器件仿真结