LDMOS器件相关论文
高压LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）具有高耐压、高频率、工艺简单兼容于传统CMOS工艺等特性，广泛应用于高压集成电路（High Vo......
本文通过二维仿真软件研究采用SiN薄膜在LDMOS中引入应力对器件特性的影响.通过SiN薄膜覆盖在LDMOS器件的不同器件区域来研究漂移......
本文介绍了薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的器件结构，并对设计的器件工艺和性能进行仿真分析，结果表明：对器件形貌进行SEM电镜......
提出一种用于PDP驱动电路的SOI高压N型LDMOS器件结构，分析了SOI层浓度、厚度、漂移区长度等参数对器件击穿电压的影响。所设计......
功率放大器是雷达TR组件主要组成部分。在S波段及以下频段，LDMOS器件具有优异电性能，高可靠性、低成本的优势。本课题采用单只LDMOS......
近年来，民用移动通信技术和军事雷达技术迅速发展，均对无线信号的传输和发射质量提出了更高的要求。在移动通信基站和军事雷达中，射频......
学位
本文针对射频LDMOS器件的国产化，对RF-LDMOS器件的研制进行了仔细的研究分析，对器件设计，流片、测试夹具制作和功率放大器设计进行了......
高压半桥驱动芯片是一种集成高压横向扩散金属氧化物半导体场效应管(Laterally Diffused MetalOxide Semiconductor, LDMOS)、低压......
在高压功率集成电路中,有时需要将电路的高压区域和低压区域集成在同一芯片上,为了实现高压区域和低压区域的信号传输功能,需要一......
学位
随着无线通信和军事新技术的发展，日益要求提高RF的性能，使之在更宽频带内，具有更高的输出功率、效率和可靠性。为了不断满足各种应用......
LED作为一种新型环保光源，被广泛应用于显示、照明等领域。应用差异对LED驱动技术提出了不同的要求。大屏幕显示要求画面一致性好，发......
如何缓解功率LDMOS(Lateral Double-diffusion Metal Oxide Semiconducor)耐压与比导通电阻之间的矛盾关系,一直是业界研究的热点......
为了获得高耐压、低导通电阻的横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,综合利用高介电常数(高k)薄膜技术和场板技术,设计出一种漂移区表面采......
本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURF LDMOS晶体管新结构.用二维器件软件MEDICI对具有线性变化......
提出了一种用于数字电视发射机中的大功率射频功放模块的设计方案，采用平衡型放大器结构，以LDMOS器件作为功放管，给出了包括射频放大......
整合了高压浮动结构和LDMOS器件L6599是一个专门为串联谐振半桥拓扑设计的双终接控制器芯片，工作在50％互补性占空比下，插入一个固定的......
主要完成人：曾葆青、唐相伟、黎晓云、王贤友、柳建龙、殷勇、孙宁主要完成单位：电子科技大学、广东美的厨房电器制造有限公司、广东......
介绍了在第三代移动通信系统的基站中应用的LDMOS器件的现状及关键技术....
对一种采用新结构的LDMOS（lateral double diffused metal oxide semiconductor）器件建立了模型．该器件在LDMOS中采用异质双栅（dual ma......
本文从新款10kW调频立体声广播发射机的日常运行出发,结合维护经验,简要介绍其特点和正常运行的基本维护。......
固态雷达发射机的主要发展趋势是增大工作频带宽度,提高输出功率和效率,减小体积、重量,提高发射机的功率密度和环境适应性。雷达......
相对于双极型Si功率器件,LDMOS功率器件在增益、线性度、可靠性等方面具有明显的优势而且成本较低。理论分析表明,固态雷达发射系......
本文设计了一种可应用于高频开关电源、电机控制的高速、高压半桥驱动电路,其具有可驱动两个中功率MOSFET或IGBT管、实现DC/AC逆变......
LDMOS器件是高压集成电路中广泛应用的高压器件，其主要的性能指标是击穿电压和导通电阻，如何从新材料、新结构、新工艺的方向来实现......
横向双扩散金属氧化物半导体(Lateral Double-diffused MOS FET,LDMOS)器件因其电极均位于器件表面,制造工艺简单等优点在功率集成......
LDMOS器件具有耐压高、驱动能力强、安全工作区宽、温度特性好、易集成等优点,广泛应用于功率集成电路中。高压LDMOS器件研究的核......
