聚酞菁锗氧烷的电子辐照损伤及高分辨电子显微学研究

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利用选区电子衍射观察了聚酞菁锗氧烷晶体的电子辐照损伤规律,结果表明,各晶面损伤次序既与所对应衍射班点的衍射级数有关,又与晶面间距有关。同时用选区电子衍射测量该聚合物晶体的耐电子辐照能力,对比不同加速电压对耐电子辐照能力的影响,讨论了获取晶面间距小于1nm的晶面的晶格像的可能性。最后利用高分辨电子显微技术拍摄了该聚合物的间距为0.66nm的晶格像和二维晶格像。 The electron-induced damage of poly phthalocyanine-ferrocene crystal was observed by selective electron diffraction. The results show that the damage order of each polycrystal is related to the order of the diffraction orders and the interplanar spacing. At the same time, the electron beam irradiation resistance of the polymer crystal was measured by the selected area electron diffraction, and the effect of different accelerating voltage on the electron irradiation resistance was compared. The possibility of obtaining the lattice image of the crystal plane with the spacing less than 1 nm was discussed. Finally, the crystal lattice and the two-dimensional lattice image of the polymer with a spacing of 0.66 nm were photographed by high-resolution electron microscopy.
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