【摘 要】
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利用等离子体化学气相沉积( PECVD)技术 ,采用不同的沉积条件 (20～ 180℃的基板温度范 围和 10～ 30W的射频功率 )制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海新代车辆技术有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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利用等离子体化学气相沉积( PECVD)技术 ,采用不同的沉积条件 (20～ 180℃的基板温度范 围和 10～ 30W的射频功率 )制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的 影响.实验发现随着基板温度的增加 ,氮化硅薄膜的密度、折射率和 Si/N比相应增加 ,而沉积速 率和 H含量相应减少 ;随着射频功率的增加 ,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和 Si/N比相 应增加 ,而 H含量相应减少.水汽渗透实验发现即使基板温度降低为 50℃,所沉积的氮化硅薄膜 仍然具有良好的防水性能.实
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