【摘 要】
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通过对半导体激光器热特性的理论分析,使用ANSYSWorkbench软件,模拟分析单管半导体激光器芯片温度和热流分布,输出功率为10W时,传统c-mount封装芯片温度为66.393℃,热阻为4.6
【基金项目】
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吉林省科技厅项目号20160101254JC,预研项目号6141XB010328
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通过对半导体激光器热特性的理论分析,使用ANSYSWorkbench软件,模拟分析单管半导体激光器芯片温度和热流分布,输出功率为10W时,传统c-mount封装芯片温度为66.393℃,热阻为4.6K/W。通过在热沉与激光器芯片间添加一层高热导率的石墨烯,增加热流扩散面积,使芯片温度下降到55.587℃,热阻3.5K/W,散热效果明显,计算得到最大输出功率从15.4W提升到18.5W,通过计算得知,其输出功率提升了20%。
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