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优化栅的VDMOS器件结构及特性简析

来源 :集成电路应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fengpose

【摘 要】

：

<正>VDMOS由于具有高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度、优越的频率特性以及低噪声等特点,在功率集成电路及系统中得到广泛应用,目前国内VDMOS关键产品性能已可与进口产品相

【作 者】

：

刘宗贺 

【机 构】

：

深爱半导体股份有限公司

【出 处】

：

集成电路应用

【发表日期】

：

2011年08期

【关键词】

：

VDMOS 高输入阻抗 开关速度 器件结构 

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<正>VDMOS由于具有高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度、优越的频率特性以及低噪声等特点,在功率集成电路及系统中得到广泛应用,目前国内VDMOS关键产品性能已可与进口产品相媲美。垂直双扩散MOSFET(VDMOS)由于具有独特的高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度(多子导电器件)、优越的频率特性及低噪声等特

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