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用自组装的氨源分子束外延(NH3-MBE)系统和射频等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)系统在CD面蓝宝石衬底上外延了优质GaN以及AlGan/GAN二维电子气材料。GaN膜(1,2μm厚)室温电子迁移率达300cm^2/v·s,背景电子浓度低至2×10^17cm^-3。双晶X射线衍射(0002)摇摆曲线半高宽为6arcmin。AlGaN/GaN二维电子气材料最高的室温和77K二维电子气电子迁移率分别为730cm^2/V·s和1200cm^2/v·s,相应的电子面