钽薄膜淀积速率与阻挡效果的研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cyx810625
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在硅衬底上用不同淀积速率溅射得到了60 nm厚钽薄膜作为铜布线工艺中的扩散阻挡层.样品在退火前后,用二次离子质谱仪(SIMS)对钽膜的阻挡效果进行鉴定,原子力显微镜(AFM)分析了钽薄膜的形貌结构.研究发现不同淀积速率制作的钽膜由于其结构的差异对铜硅互扩散有着不同的阻挡效果,并提出样品在退火时,薄膜晶粒的重结晶过程是导致阻挡层失效的重要因素之一.
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