铜布线相关论文
早期的IC前工序制造工艺中并不使用电镀.但是随着圆片级封装(WLP)、倒装芯片(FC)技术和芯片尺寸封装(CSP)等新型封装技术的出现,Cu......
第一部分是针对铜布线工艺中钽阻挡层失效问题的研究.研究发现钽薄膜制备过程中,硅衬底表面清洁度对钽膜阻挡效果有很大的影响,适......
索尼计算机娱乐公司、ＩＢＭ公司、东芝公司宣布 :三家公司计划联合研究开发一种先进的芯片结构 :新兴宽带时期的新一代器件。它们将共同......
采用低介电常数材料(低k介质)作为Cu布线中的介质层,已经成为集成电路技术发展的必然趋势。由于低k介质的低耐压性,加工的机械强度......
ＮＥＣ开发了为制作未来高速、高可靠性ＬＳＩ所需的 0 5 μｍ间距的Ｃｕ布线新技术。Ｃｕ布线与原铝合金布线相比 ,电阻低、可大电流流经。所以可应用于......
研究了LTCC(低温共烧玻璃 -陶瓷 )N2 气氛下基片排胶效果与铜布线质量。用综合热分析仪分析了LTCC基片N2 烧结 ,发现有机物的排放......
分析介绍了Cu层表面粗糙度对器件性能的影响以及超大规模集成电路中多层Cu布线CMP的作用机理,研究分析了碱性抛光液对Cu的表面粗糙......
从钽膜质量的角度研究了用溅射方法在硅衬底上得到的60 nm钽膜对铜硅互扩散的阻挡效果,钽膜的质量通过对硅衬底的表面处理以及钽膜......
GLSI多层铜互连线的平坦化中,抛光液中的SiO2磨料对铜的平坦化效率具有重要的作用。研究了碱性纳米SiO2质量分数对300 mm铜去除速......
期刊
研究了ULSI多层互连工艺中铜布线的CMP的机理；对影响抛光速率和抛光后表面状态的诸因素，如抛光条件、抛光方式和抛光耗材进行了分析；......
对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺--铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论.着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和......
随着极大规模集成电路(ULSI)的发展,特征尺寸进一步减小,布线层数增加,铜布线已逐步取代铝布线应用于极大规模集成电路(ULSI)的制......
讨论了碱性化学镀铜成分中CuSO4、还原剂HCHO以及NaOH的浓度对化学镀效果的影响,得到了适合超大规模集成电路铜金属化的化学镀溶液......
新器件、新材料和新工艺不断推动着集成电路按照摩尔定律快速发展。越来越高的集成度,越来越小的特征尺寸和越来越大的晶圆面积对......
