【摘 要】
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采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ和ＬＰＥ相结合，成功地研制出了吸收型部分增益耦合ＭＱＷ－ＤＦＢ激光器．扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅，表明光栅掩埋生长前升温过程磷烷的保护是成功的．宽接触（ｂｒｏａｄａｒｅａ）脉冲电流
【机 构】
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国家光电子工艺中心，集成光电子学国家重点联合实验室，中国科学院半导体研究所
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采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ和ＬＰＥ相结合，成功地研制出了吸收型部分增益耦合ＭＱＷ－ＤＦＢ激光器．扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅，表明光栅掩埋生长前升温过程磷烷的保护是成功的．宽接触（ｂｒｏａｄａｒｅａ）脉冲电流大范围单纵模工作，条型器件室温连续直流工作阈电流为２２ｍＡ至３５ｍＡ，单模成品率高，边模抑制比（ＳＭＳＲ）超过３７ｄＢ，没有观察到饱和吸收现象．
The absorption type partial gain coupled MQW-DFB laser was successfully developed by combining LP-MOCVD and LPE. Scanning microscope images show a clear buried absorption-type gain-coupled grating, demonstrating the successful phosphine protection during grating burial prior to warming. Broadarea pulsed current operates over a wide range of single longitudinal modes. The continuous threshold operating current of the bar-type device is 22mA to 35mA at room temperature. The single-mode yield is high and the side mode suppression ratio (SMSR) exceeds 37dB. No saturation absorption is observed .
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