MQW相关论文
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对1.55 μm波长的Si1-xGex光波导和Si1-xGexSi多量子阱(MQW)红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为:1)......
介绍了InP基应变补偿MQW的研究进展 ,对应变补偿和非应变补偿MQW的特性做了对比。讨论了InP基应变补偿MQW存在的问题及如何优化InP......
Modeling of tunneling current density of GeC based double barrier multiple quantum well resonant tun
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
优化设计了1.55μm InGaAsP/InGaAsP张应变量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的结构.利用k*p方法计算了多量子阱的价带结构,计算中考......
Photocurrent Measurement of Si1-xGex/SiMultiple Quantum Wells With Ion Implantation and Thermal Anne
Si-Ge interdiffusion in Si1-xGex/Si multiple quantum-wells (MQW) is investigated by photocurrent spectroscopy, which is ......
利用2×1．7MV串列静电加速器提供的质子束模拟空间环境辐射，对引入量子阱GaAs太阳电池和无量子阱GaAs太阳电池进行2MeV质子注量......
采用一种自对准压缩台面结构制作高速1.55μm DFB激光器.激光器的典型阈值为12mA,单面斜率效率达0.157mW/mA,出光功率大于20mW.由......
研制了利用直线法设计的基于GaAs衬底上的Mach—Zehnder行波光调制器．波导层使用了场诱折射率改变量较大的非对称多量子阱结构，采用......
采用一维传递矩阵法模拟计算了AlGaN／GaN／InGaN对称分别限制多量子阱激光器(发射波长为396.6nm)的波导特性．以光限制因子、阈值电流密......
用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN／InGaN多量子阱材料进行横断面测试，在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像（HRTEM）、电子衍射衬......
期刊
根据多量子阱中注入载流子的输运机制，计算了多量子阱中注入载流子的非均匀分布．引入不均匀度参量Asy来衡量载流子分布的不均匀程度，......
采用PECVD技术在1.55μn InGaAsP-InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,......
本文分析了多量子阱电吸收调制器(MQW EAM)的非线性损耗特性,从时域和频域两个方面讨论了MQW EAM驱动条件与输出光脉冲特性的关系.......
运用基于三角函数展开的三维准矢量束传播法分析了由InGaAs/InAlAs多量子阱(MQW)构成的脊形光波导及其定向耦合器;获得了脊形光波......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术沉积含P电介质薄膜,用于无杂质空穴扩散(IF-VD)技术中InGaAsP-InP MQW结构中新的包封层,......
InGaAlN MQW LED发光器件已在很多领域获得了广泛运用,与人们的生活生产息息相关。蓝宝石衬底和碳化硅衬底InGaAlN MQW发光器件于......
本文报导了用分子束外延法制备的低电流阈值室温注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱（MQW）激光器。在脉冲电流注入情况下,在阈值观察到了属......
利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了不同周期的四元合金半导体材料AlGaInP／GaInP多量子阱（MQW）外延片，通过实验找到了在周期数和阱......
