钴离子(Co~(2+))掺杂TiO_2纳米管阵列的光生阴极保护行为

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应用电化学阳极氧化法在纯钛箔表面构筑TiO2纳米管阵列膜,借助离子交换法对纳米管阵列膜作钴离子(Co2+)掺杂.扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)观察膜层的形貌和晶型,紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、光电化学分别测试Co2+掺杂TiO2纳米管阵列在不同波长范围内的光电响应特性和光生阴极保护行为,考察Co2+掺杂量对TiO2纳米管阵列几何尺寸、形貌和光电性能的影响.结果表明,掺杂适量Co2+形成的杂化能级可有效窄化TiO2带隙宽度,并使光响应扩展至可见光区.Co2+掺杂TiO2纳米管阵列膜在400~650 nm波长范围有较强的光吸收,对403不锈钢光生阴极保护作用明显. The TiO2 nanotube array film was fabricated on the surface of pure titanium foil by electrochemical anodic oxidation method, and the Co (superscript 2 +) doped nanotube array film was doped by ion exchange method. Scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction The morphology and crystal structure of the films were observed. The photoelectrical response characteristics and photocathode cathodic protection behaviors of Co2 + -doped TiO2 nanotubes arrays in different wavelength range were tested by UV-Vis and photoelectrochemistry. The results show that the doping amount of Co2 + can effectively narrow the band gap of TiO2 and extend the photoresponse to the visible region.Co2 + The doped TiO2 nanotube array film has strong light absorption in the wavelength range of 400-650 nm, and has obvious protective effect on the photo-generated cathode of 403 stainless steel.
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