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基于丙酮在吐温４０－氢氧化钾－过氧化氢－Ｏｓ（Ⅳ）体系中增强Ｏｓ（Ⅳ）的化学发光。彩流动注射进样技术，建立了测定痕量饿（Ⅳ）的新的化学发光分析法。方法的线性范围为１．０×１０＾－８￣１．０×１０＾－６ｇＯｓ（Ⅳ）／ｍＬ检出限为２．０×１０＾－９ｇ／ｍＬ，对１０×１０＾－７ｇ／ｍＬＯｓ（Ⅳ）标准溶液测定１１次的相对标准偏差为３．０％，拟定方法用于贵金属精矿中痕量饿的测定，结果满意。本文还进行了增敏机