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日本通信综合研究所研制成功了在光通信波段(1．3μm波段)工作的类锑半导体量子点激光二极管，并进行了室温振荡。据理论推测，半导体量子点激光器的功耗、温度特性优于以往的半导体激光器。由于使用廉价的GaAs衬底，半导体量子点激光器的制造成本明显降低。在以往的研究中，将InAs作为形成量子点的材料来使用，但因施加于InAs量子点的品格畸变而使材料特性发生改变，振荡波长约为1μm，故很难在光通信波段工作。