ITO膜相关论文
本文通过研究硅靶中频反应磁控溅射SiO膜工艺特点及氧气分压对ITO膜特性影响,研究中频反应溅射SiO膜与直流溅射ITO膜的在线联镀工......
A new technique for rapid 3D microstructure preparation using micropipette is investigated. The tool electrode is made b......
在磁控反应溅射方法制备薄膜的过程中，等离子体发出较强的光，提出了用光谱控制溅射速率方法，并以该方法在ITO膜中的应用为例，说明该方......
对激光修复LCD板ITO膜的过程及影响因素进行了理论分析和计算。设计并加工出一套激光聚焦系统,由一个用于扩束和压缩发散角的倒置......
晶体硅太阳能电池是目前光伏市场的主流产品。受材料和工艺的限制,晶硅太阳电池转换效率提高和成本降低的空间有限。近年来,在研究......
透明导电氧化物是具备良好的导电性和透过性的，这使得该类透明导电氧化物在平板显示、太阳能电池、气敏元件、薄膜电阻器、有机发光......
采用离子注入技术将铅离子注入到ITO薄膜玻璃中,用分光光度计、四探针测试仪、硬度计等测定了ITO膜注入前后的光学性能、电学性能......
本文讨论了ＩＴＯ膜的稳定性和刻蚀特性。比较了多种ＩＴＯ膜的刻蚀液，得出加热至１００℃的４５％ＨＩ溶液和加热至５０℃的ＨＣＩ和ＨＮＯ３的混合溶液人的刻蚀特性较为理想。
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本文介绍由日本真空技术株式会社开发的新型ＩＴＯ膜溅射阴极——α阴极，同以往相比它具有诸如高靶材利用率、低溅射电压、高功率——高速......
住友重机械工业与日本板硝子共同开发了STN型液晶显示板用ITO膜的新成膜技术-离子镀膜法.迄今,ITO膜几乎都是用溅射法制备的,但这......
在Ｉｎ－Ｓｎ合金靶反应磁控溅射的情形下，固定基片温度、氧分压、抽速和其它相关条件，仅靠改变溅射电流来沉积一定方阻的ＩＴＯ膜。实验表明：随着工艺......
为进一步探求磁控溅射的机理，本文通过用直流和射频两种磁控溅射沉积ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜的方法，由沉积后的ＩＴＯ膜的特性来揭示不同溅射方法的机制。
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使用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积了ＩＴＯ透明导电膜。通过膜的霍尔系数测量及ＸＲＤ、ＳＥＭ分析，详细研究了沉积时的基片温度对膜的透光率和......
采用射频磁控溅射在PMMA、PC等有机衬底和无机玻璃衬底上制备ITO透明导电膜。研究溅射功率对不同衬底上ITO膜电学性能与红外光谱的......
本文提出了在ITO膜上用电子束蒸发的方法沉积了Ta_20_3膜的界面情况.结果表明:用该法制备的试样,二者之间没有明显的相互作用,不影......
这种2mm 厚电致发光(EL)触摸板用浸涂工艺制成,具有双面氧化铟锡(ITO)透明导电膜,电耗为发光二极管(LED)板的1/3,作为 LCD 背光源......
根据太阳光波段(300-2500nm)光谱能量分布特点与ITO膜光学常数随波长的变化,采用TFCalc光学设计软件进行ITO透明热镜太阳光谱......
在PDP屏制作ITO膜的制作工艺方法主要有光刻蚀法、掩膜法、激光干式刻蚀法、丝网印刷法以及荫罩透过沉积法这几种方法，本文对光刻蚀......
目前平板显示领域中,有机电致发光(OLED)显示器件是国内外研究的热点之一。OLED显示器件经常采用ITO膜作为有机发光的出射面和透明......
本文根据实际应用需要，论述了透明导电膜的基本原理，介绍了膜系的设计过程，相应的镀制工艺，实验操作系统的应用及原理等。并针对中国航......
该论文分上、下两篇的主要内容分别为:上篇:一、掺铒光纤放大器增益控制研究.该部分对掺铒光纤放大器增益控制技术进行了理论研究.......
采用离线法生产的ITO膜系镀膜玻璃,使用性能优越的氧化铟锡材料作为薄膜基础材料,设计合理的膜系,使得该玻璃具有辐射率低、可见光......
利用射频磁控溅射技术在有机玻璃表面上一次完成表面活化、ITO膜制备、SiO2 减反射膜制备过程。利用低能等离子体对有机玻璃表面进......
采用 XPS 技术研究了直流磁控溅射 ITO 膜的结构组成及其化学态。分析了成膜工艺——热处理、反应气体 O_2流量等对 ITO 膜表面及......
研究了用铟锡合金靶直流磁控反应溅射制备ＩＴＯ透明导电膜。介绍了膜的制备工艺和膜的特性，讨论了成膜过程和热处理对膜的电阻率和透光率......
以InC l3.4H2O和SnC l4.5H2O为原料制备溶胶前驱体,采用浸渍提拉法在S iO2玻璃表面制备透明带电的ITO薄膜。采用方块电阻测量仪、......
采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,利用自制的提拉实验设备于石英玻璃片上制得了ITO(indium tin oxide)透明导电薄膜,并就薄膜的物相结构......
研究了基体偏压和氧分压强影响 ITO 膜光谱的机理。确定出最佳氧分压为(8～10)×1O~(-3)pa,通过比较衬底高温法和衬底偏置法制备......
利用直流磁控溅射法在树脂基复合材料基底上制备了ITO低红外发射率薄膜。选择了低发射率树脂作为基底复合材料的基体树脂。通过对......
首次尝试将ITO(Indium Tin Oxide)膜与微通道板(Microchannel Plate)结合用作位置灵敏探测器,并对该探测器的线性、位置分辨及探测......
ＩＴＯ膜的特性受到溅射过程中很多因素的影响，但是实验证明了ＩＴＯ膜的沉积速率与溅射过程中等离子体的特征光谱强度及此时靶电流比值成正比。......
采用溶胶-凝胶法以铟、锡氯化物为前驱物制备不同热处理温度下的ITO膜,对制备的ITO膜样品进行X射线衍射分析.研究表明热处理温度对......
日本高知工科大学利用住友重机械与该校联合研制的反应等离子蒸发设备在200mm×200mm玻璃基板上蒸镀氧化锌膜，其膜厚度为30nm，电......
研究了用ＣＦ４或乙醇作为反应气体，Ａｒ作为气体添加剂对ＩＴＯ膜进行反应离子刻蚀，讨论了射频放电功率，反应室气压，Ａｒ的流量对刻蚀速率的影响，得出了最佳......
用磁控反应溅射方法制备ＩＴＯ膜时，溅射速率不断变化，并且等离子体也发出较强的具有较宽光谱的光，报导了用调整特征光谱强度来控制溅射速率......
ITO(Indium Tin Oxide)膜，广泛地应用于个人电脑、手机、液晶电视机等平板显示器的液晶显示装置上，而且其需求量呈越发增加之趋势。......
1、前言本公司根据液晶屏的彩色化·宽屏化·高画质化等的发展，已确立消除滤色板（CF）基板上的异物等表面特殊处理的加工技术......
以铟、锡氯化物为前驱物，采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上制备不同锡掺杂的ITO膜，在热处理温度为450℃条件下制备不同锡掺杂（质量分数11％～3......
日本大阪市立工业研究所、巴制作所及奥野制药工业三家合作开发了氧化铟锡纳米颗粒胶，平均颗粒直径为15nm。把胶涂布在玻璃板上，在空......
国产的扁平管采用涂内导石墨工艺，而进口管采用较先进的镀ＩＴＯ导电膜工艺，因此其性能优于国产管。本论文主要介绍用铟锡合金靶直流磁控反......
研究了基体偏压对 ITO 膜载流子浓度和迁移率影响的机理,并就载流子浓度和迁移率随偏压变化的实验结果与理论结果作了比较,两者基......
通过对直流磁控偏压溅射的 ITO 膜作结构和光谱分析表明,基体偏压可导致膜中 In_2O_3沿(222)晶面择优取向,淀积后真空退火不影响 I......
国内外学者对铟锡氧化物膜的各种工艺参数进行了过广泛的研究，然而对低温退火提高ＩＴＯ膜的透光性还未见报道。文章在研究了低温退火工艺......
