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采用快速脉冲技术，研制了ＧａＡＭＥＳＦＥＴ热特性测试仪，并测量，分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及入曲线。采用该方法，可在器件正常工作条件下，快速、非破坏性地测量分析器件的芯片、粘接及管壳各部分的热阻。
GaAsMESFET热特性电学法测量与分析
【摘 要】
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采用快速脉冲技术，研制了ＧａＡＭＥＳＦＥＴ热特性测试仪，并测量，分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及入曲线。采用该方法，可在器件正常工作条件下，快速、非破坏性地测量分析器件的芯片、
【机 构】
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北京工业大学电子工程系,电子工业部第十三研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1999年1期
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