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利用ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺在４英寸ＳＩＭＯＸ材料上成功制备出沟道长度为１μｍ器件性能良好的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ部分耗尽器件和电路，从单管的开关电流比看，电路可以实现较高速度性能的同时又可以有铲抑制泄漏电流，所研制的５１级ＭＯＳ／ＳＯＩ环振睛 高速度性能，５Ｖ电源电压下单门延迟时间达到９２ｐｓ，同时可工作电源电压范围较宽，说明ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术在器件尺寸一将表现出比体硅更具吸引力的应用前景。