本文介绍了一种硅基锗硅异质结晶体管的结构.报导了与硅基单层多晶硅发射极工艺兼容的硅基锗异质结19级环振电路的研制、简要工艺......

该文采用ＳＯＩ／ＣＭＯＳ工艺成功地研制出沟道长度为０．８μｍ的ＳＯＩ器件和环振电路，在５Ｖ和３Ｖ电源电压时５１级环振的单门延迟时间分别为８２ｐｓ和２８１ｐｓ，速度明显高于相应的体硅电路......

利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流......

采用 SOI/CMOS工艺成功地研制出沟道长度为 0 .8μm的 SOI器件和环振电路 ,在 5V和 3V电源电压时 51级环振的单门延迟时间分别为 8......

利用ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺在４英寸ＳＩＭＯＸ材料上成功制备出沟道长度为１μｍ器件性能良好的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ部分耗尽器件和电路，从单管的开关电流比看，电路可以实现较高速度性能的......

研究了0．8μm部分耗尽绝缘体上硅（PDSOI）CMOS器件和电路，开发出成套的0．8μm PDSOI CMOS工艺。经过工艺投片，获得了性能良好的器件和电路......

针对SOI器件中的态浮体效应进行了一系列的数值模拟，通过改变器件参数，比较系统地考察了SOI器件中瞬态浮体效应，同时也研究和分析了瞬......

采用ＳＯＩ／ＣＭＯＳ工艺成功地研制出沟道长度为０．８μｍ的ＳＯＩ器件和环振电路，在５和３Ｖ电民压时５１级环振的单门延迟时间分别为８２ｐｓ和２８１ｐｓ，速度明显高于相应的体硅电路，由于采......