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通过磁控溅射法制备Ｆｅ膜，再在Ｓ气氛中用热硫化法使其转变成为多晶ＦｅＳ２薄膜，硫化压力分别为４０，、６０、８０和１００ｋＰａ，并研究了硫化压力对ＦｅＳ２薄膜的结构和光学性能的影响。研究发现，在８０ｋＰａ条件下，结晶状况达到最佳，光吸收系数较高，禁带宽度可达到０．９ｅＶ。
硫化压力对FeS2薄膜结构和光学性能的影响
【摘 要】
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通过磁控溅射法制备Ｆｅ膜，再在Ｓ气氛中用热硫化法使其转变成为多晶ＦｅＳ２薄膜，硫化压力分别为４０，、６０、８０和１００ｋＰａ，并研究了硫化压力对ＦｅＳ２薄膜的结构和光学性能的影响。研究发现，在８０ｋＰａ条件下，结晶状况达到最佳，光
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程学系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年12期
【基金项目】
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中国博士后科学基金
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