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对采用金属诱导单一方向横向晶化（metal induced unilaterally crystallization，MIUC）并结合激光后退火技术，以提高多晶硅薄膜晶体管的性能，进行了深入研究．MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性，再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管，其场效应迁移率则可提高近一倍．器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关，具有规律性，故而是可控的，这为工业化技术的掌控提供了基础．