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对以Si为衬底的薄膜 ,当x >0 .5时 ,薄膜导电性由超导态转向半导体态。我们研究了以Si为衬底有ZrO2 过渡层和以Si为衬底有SiO2 过渡层的两种YBaCuO薄膜。我们使用X射线衍射方法测定了这两种薄膜的物相结构 ,这两种薄膜均属于多晶态。在此基础上 ,又做了各元素的比例实验 ,发现了YBaCuO的物理结构和电学性能的变化。找出了适用于测辐射热计的最佳比例的Y1Ba2 Cu3 O7 x薄膜。另外做了这种薄膜的电阻率随温度的变化而改变的实验。用该薄膜研制的测辐射热计 (bolometers)