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主要研究了平面选择离子注入隔离工艺条件下的GaAsMESFET的旁栅效应，分别设计了不同的测试方法来分析旁栅效应的多种特性，并从理论上对测试结果进行了解释，认为这些特性都与沟道-衬底（C-S）结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关．
选择离子注入GaAsMESFET的旁栅特性研究
【摘 要】
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主要研究了平面选择离子注入隔离工艺条件下的GaAsMESFET的旁栅效应，分别设计了不同的测试方法来分析旁栅效应的多种特性，并从理论上对测试结果进行了解释，认为这些特性都与沟道
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
【出 处】
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应用科学学报
【发表日期】
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2006年6期
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