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采用光致发光方法研究了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长的掺硅InGaN和掺硅CaN材料的光学性质。在室温下．InGaN材料带边峰位置为437．0nm，半高宽为14．3nm；GaN材料带边峰位置为363．4nm．半高宽为9．5nm。进行变温测量发现．随温度的升高．两种材料的发光强度降低，半高宽增大；GaN材料的带边峰值能量位置出现红移现象．与Varshini公式符合较好；InGaN材料的带边峰值能量位置则出现红移-蓝移-红移现象．这与InGaN材料的局域态、热效应以及由于电子-空穴对