p型氮化镓相关论文
半导体材料在科技领域发挥着极其重要的作用,近年来光电半导体材料也得到了重点关注和投入。制备多功能集成和高精度响应的光电半......
与硅(Si)基器件相比,基于AlGaN/GaN异质结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)凭借着材料的高电场强度与在AlGaN/GaN界面处形成的二维电......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,并揭示这种接触结......
通过采用环形传输线方法（CILM），电流-电压（I-V）曲线、表面形貌等方法，研究不同的Ni／Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接......
通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了Ni层厚度和Ni层的高温退火对Ni/ITO与p型氮化......
用卢瑟福背散射(RBS)和同步辐射X射线衍射(XRD)研究了p-GaN上的Ni／Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化，并揭示这种接触结构......
宽带隙的GaN具有优良的物理和化学性质,己成为半导体领域研究的热点之一。p型GaN的欧姆接触问题制约了GaN基器件的进-步发展。本文......
提出了一种新型p型氮化镓粗化外延生长方法,这种生长方法的本质特征是利用低温生长的p型氮化镓作为粗化层的"晶籽"层,然后在这一层......
对掺杂GaN的湿法刻蚀研究进行了总结，回顾了不同的湿法刻蚀技术，包括传统的酸碱化学刻蚀和电化学刻蚀。从掺杂GaN的生长过程、表面化......
采用多种传输线模型方法，测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率．通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异，得出了一个准确......
