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介绍了一种用于高分辨率Si-PIN探测器的低噪声晶体管反馈电荷灵敏前置放大器的设计。在场效应管制冷到-20℃，成形时间为6μs条件下，前放的零电容电子学噪声（对Si探测器）为150 eV。与平面工艺技术制备的厚度500μm，灵敏面积5 mm2的Si -PIN探测器配用，采用小型温差电制器制冷至-20℃，对5．9 keV X射线的能量分辨率（ FWHM）最好可以达到195 eV。