【摘 要】
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本文简述了半导体器件的温度测量方法，重点介绍了适用于氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMTs）器件的四种热测试技术及其在GaN基HEMTs器件的应用情况。分析表明四种方法具有其各
【机 构】
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工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室
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本文简述了半导体器件的温度测量方法，重点介绍了适用于氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMTs）器件的四种热测试技术及其在GaN基HEMTs器件的应用情况。分析表明四种方法具有其各自的优劣之处：电学法虽然只能得到结区平均温度，但能对器件进行直接测量而无需破坏封装；红外法虽然空间分辨率较低，但能简便得到器件温度分布图和进行器件的静态、动态测量；拉曼散射技术具有约1μm的高空间分辨率的优点，但需要逐点扫描、测量耗时长，适合于局部小范围的温度测量；热反射法具有亚微米量级的高空间分辨率，能简便得到器件温度分
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