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本文介绍了MOS型硅功率器件在平面工艺条件下常用的电场限制环以及场板终端结构的基本设计理论和设计方法,讨论了这两种结构的优化设计的一般原则。在此基础上探讨了平面工艺p-n结终端技术发展所面临的课题。
MOS型硅功率器件平面终端结构
【摘 要】
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本文介绍了MOS型硅功率器件在平面工艺条件下常用的电场限制环以及场板终端结构的基本设计理论和设计方法,讨论了这两种结构的优化设计的一般原则。在此基础上探讨了平面工艺
【机 构】
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华中理工大学,华中理工大学武汉430074,武汉430074
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1992年2期
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