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研究了杂质不完全离化对金属-绝缘体-碳化硅（MISiC）传感器性能的影响。考虑到Pool—Frenkel效应和外加电场的作用，建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程。运用准中性近似，对所建立的泊松方程进行数值计算，得到了空间电荷区的电势分布，进而得到MISiC传感器的I-V与C—V特性。实验结果表明：室温下SiC器件中杂质不完全离化，随着温度的升高，杂质离化率增大。在外加电场的作用下，杂质的离化率增加，并最终导致MISiC器件I-V与C—V曲线的移动。