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采用脉冲激光沉积（PLD）法在单晶Si（100）及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜，并且比较了不同生长条件下薄膜的性能。实验观察到了700℃、0．02Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线。采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构及微观形貌进行了分析，得到的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向，结构比较致密，表面平整度较高，并且没有发现Co的相关分相，初步表明Co有效地掺入了ZnO的晶格当中。霍尔测试表明Co掺杂ZnO薄膜样品保持了半导体的电学性能，电阻率为0．04Ω·