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用真空热蒸发法在硼硅玻璃基片上获得了高质量的ITO透明导电膜(R□=6.2Ω/□,T=90%,ρ=7.13×10<sup>-5</sup>Ωcm)。用ESCA对ITO薄膜的致黑因素进行了研究,发现化学计量比偏移是造成透过率降低的主要原因之一。提出了一个新的化学蒸发模型,认为氧化反应不但发生在基片上,也发生在蒸发源的表面附近。源的表面温度控制着化学平衡In<sub>2</sub>O(g)+O<sub>2</sub>(g)(?)