MOS电容相关论文
一氧化氮退火是目前业内界面钝化的主流工艺，而钝化效果与一氧化氮退火的条件密切相关，因此选取合适的退火条件提高界面质量显得尤为......
A high-permittivity (high-k) material is applied as the gate dielectric layer in a silicon metal-oxide-semiconductor (MO......
钛酸钡材料(BaTiO_3,BTO)沉积到Si基板之后形成的BTO/Si异质结构在MOS晶体管、太阳能电池等领域表现出了巨大的应用潜力。对于这种......
碳化硅（SiC）是近年来备受瞩目的第三代半导体之一,因其宽禁带,高击穿场强,高导热率被广泛应用在高温、高压、大功率电力电子器件领域......
学位
碳化硅(SiC)半导体由于其优异的物理和电学特性,近些年越来越引起人们广泛地关注,是应用于高温、高压和大功率电子器件领域的热门......
InAlAs与InGaAs，InAs等具有良好的晶格匹配，及InAlAs对载流子具有强的阻挡性，常被用作势垒层和表面阻挡层。一般的HEMT器件存在漏电大......
随着MOS器件尺寸不断缩小,器件内沟道电场和电流密度激增,高电场诱生大量的界面态从而导致器件性能退化。本文研究相同工艺条件下,......
半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS......
在可商业获得的N型6H-SiC晶片上,通过化学气相淀积,进行同质外延生长,在此结构材料上,制备MOS电容.详细测量并分析了6H-SiCMOS电容......
传统的纳米谐振器压阻检测在工艺上需解决制备结深浅、掺杂浓度高的薄层电阻的技术难题。基于MOS电容衬底压阻的谐振式纳米梁系统......
一种用于循环型模拟-数字转换器的新型数字校正技术，循环型模拟-数字转换器（ADC）使用了金属．氧化物-半导体场效应晶体管（MOS）电容，这种电......
获得在轨微小碎片环境数据，是建立、检验和完善微小碎片环境模型不可缺少的手段。国内空间碎片研究工作的深入开展，须要研制适合搭载......
通过在n型碳化硅(SiC)晶圆上用物理气相沉积法(PVD)和原子层沉积法(ALD)分别沉积Y2O3介质和Al2O3,形成金属/Al2O3/Y2O3/SiC高k介质......
为了使由模拟电路实现的混沌随机数发生器可以在标准数字CMOS工艺上实现，设计了一类基于MOS电容的混沌随机数发生器，可以作为一个通......
论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高3nm栅氧W／TiN叠层栅MOS电容的性能。实验选取了合适的......
采用新颖的干O2+CHCCl3(TCE)氧化工艺,制备了P型和N型6H-SiC MOS电容器,并与常规热氧化工艺以及氧化加NO退火工艺进行了对比实验.......
对比了目前常用的三种用54HC电路制作工艺制作的MOS电容的总剂量辐射实验结果,并从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的......
采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层......
期刊
在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiCMOS电容.通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了......
本文分析了导致Mos电容栅氧化层漏电的原因,并提出了一种新型低漏电电源钳位电路,克服了传统晶体管构建Mos电容所带来的较大漏电情......
摩尔定律预测硅材料CMOS器件特征尺寸按比例缩小已经接近其物理极限,InGaAs基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)具有沟道材......
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随着半导体工艺技术的不断按比例缩小,非挥发闪存存储器的特征尺寸越来越小,集成度越来越高。因而,传统的多晶硅浮栅为基础的闪存......
作为一种3d过渡金属氧化物,二氧化钒在68°C附近发生金属与半导体之间的相变,发生相变时通常伴随着光学和电学常数的巨大变化。研......
针对传统二氧化硅、氮化硅等介质材料在制作MOS电容时存在电容密度低、界面特性差的问题,通过对氮离子注入、氮硅氧化实验的分析,......
着重研究了γ辐照后,不同偏置情况下,N—Sub MOS电容的高频C—V曲线随B2+注入剂量的变化,并对实验结果进行了分析讨论。......
通过与热生长氧化物进行比较 ,对LPCVD氧化物及N2 O氮化LPCVD氧化物的质量和可靠性进行了高场应力实验研究 .发现LPCVD氧化物有比......
MOS电容高频C-V特性测量广泛应用于全球的半导体制造行业和研究单位,为研究半导体表面的特性提供了一个非常有力的手段;SiGe材料由......
介绍了通过测试及ADS软件去嵌入得到RF-LDMOS管芯阻抗的方法,并通过测试结果验证其准确性。介绍了两种常用的内匹配电路形式及其特......
随着CMOS集成电路的快速发展,器件的特征尺寸已进入了纳米量级。一方面,传统SiO2栅介质厚度的减小会导致很高的隧穿电流,阻碍其的......
碳化硅(SiC)材料具有宽禁带、高热导率、高击穿电场、高载流子饱和漂移速度等优异特性,因此特别适合制作高压、高功率的半导体电力......
随着集成电路的发展，摩尔定律一直驱动着集成电路的基本单元，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的等比例缩小。在等比例缩小中......
三维集成电路满足小型化、高性能的需求,因此近年来越来越受到人们的青睐,其原理是使用互连技术堆叠芯片以提升系统的集成性能。其......
SiC材料由于具有禁带宽度较大,临界击穿场强较高以及热导率高等优异的物理性质而被称为第三代半导体材料,有望被广泛应用于高温、......
随着微电子工业遵循摩尔定律的不断发展,集成电路集成度不断提高,器件尺寸不断缩小,在这种趋势下,先前使用的传统高K栅介质SiO2层......
与硅相比,第三代半导体碳化硅拥有极好的性质,比如高热导率,高电子迁移率等,同时也是唯一一种能够通过热氧化过程生长氧化膜的化合......
几十年以来，电子系统一直朝着高性能、小型化、低成本、低功耗和多功能的趋势发展。为满足这一发展需求，三维集成逐渐成为满足应用需......
第三代半导体材料碳化硅(SiC)由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率以及高载流子饱和漂移速度等优异特性,而广泛应用于高温、......
随着微电子产业的飞速发展,CMOS器件特征尺寸在不断缩小,传统的氧化硅栅介质材料/Si体系为基础的MOS器件已经走到了物理极限。一方......
硅材料在地球上分布广泛,成本低廉,对光通讯波段的光吸收小,同时它作为微电子领域的传统材料,具有加工工艺成熟,易于集成等诸多优......
碳化硅（SiC）半导体由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性，使其在高温、高功率、高频、高辐射等领域应用前景广阔，其研究广......
光纤通讯系统通常采用锁相环来产生时钟信号。由于通信系统中的定时信号对噪声和干扰有很强的敏感性,因此锁相环电路的指标就决定......
MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构。采用通过对相同工艺不同厂家生......
CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄，随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定。根据这一情况，提出用高频......
