【摘 要】
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在488 nm波长光的激发下, 研究了用坩埚下降法生长的掺杂Eu3+离子的下部与上部LiNbO3晶体从77到600 K的变温发射光谱特征. 实验结果表明, 对于生长后期的上部晶体, 随着温度
【机 构】
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宁波大学光电子功能材料重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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在488 nm波长光的激发下, 研究了用坩埚下降法生长的掺杂Eu3+离子的下部与上部LiNbO3晶体从77到600 K的变温发射光谱特征. 实验结果表明, 对于生长后期的上部晶体, 随着温度的升高, 其发光强度总体增强; 然而对于生长初期的下部晶体, 随着温度的升高, 其发光强度首先增强, 到540 K时达最大值, 然后随着温度的升高, 其发光强度反而下降. 用热激活效应、 声子辅助吸收效应与热猝灭效应解释了晶体上部与下部的发光特征.
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