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Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：antonw1

【摘 要】

：

用LPCVD在Si(111)上异质外延了n型3C-SiC,并在所外延的3C-SiC上蒸发Au/Ti,通过不同温度下的RTA(快速热退火)形成欧姆接触.用两种不同的传输线模型对Ti/3C-SiC欧姆接触的ρc(

【作 者】

：

尚也淳 刘忠立 孙国胜 

【机 构】

：

中科院半导体所微电子研发中心

【出 处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

3C—SiC 欧姆接触 传输线模型 比接触电阻率 3C-SiC  ohmic contact  circular transmission line model 

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用LPCVD在Si(111)上异质外延了n型3C-SiC,并在所外延的3C-SiC上蒸发Au/Ti,通过不同温度下的RTA(快速热退火)形成欧姆接触.用两种不同的传输线模型对Ti/3C-SiC欧姆接触的ρc(比接触电阻率)进行测量,在750°C退火后Ti/3C-SiC的ρc达到了最低值为3.68×10-5 Ω·cm2,这满足了应用的要求.AES分析结果还表明由于Ti的氧化,更高温度下的退火会使ρc增大.

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