【摘 要】
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术沉积含P电介质薄膜,用于无杂质空穴扩散(IF-VD)技术中InGaAsP-InP MQW结构中新的包封层,替代传统的SiO2层.经X射线光电子谱(XPS)研
【机 构】
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天津师范大学物理与电子信息学院,天津第四半导体器件厂
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术沉积含P电介质薄膜,用于无杂质空穴扩散(IF-VD)技术中InGaAsP-InP MQW结构中新的包封层,替代传统的SiO2层.经X射线光电子谱(XPS)研究证明,该膜就是SiOP结构.快速退火(RTA)研究表明,该膜结构基本稳定,但膜中P原子存在明显扩散,它增强了InP MQW结构中In原子的外扩,却抑制了Ga原子的外扩.这些都明显区别于常规SiO2膜的性质.
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