射频磁控溅射法制备Al2(WO4)3薄膜和负热膨胀性能研究

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:q183727555
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采用WO3和Al2O3陶瓷靶材,以双靶交替射频磁控溅射法,在石英基片上沉积制备了Al2(WO4)3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),研究了退火温度对Al2(WO4)3薄膜的相组成和表面形貌的影响,采用表面粗糙轮廓仪和划痕仪测量薄膜厚度,探索了薄膜的制备工艺以及薄膜与基片的结合力,采用高温X射线衍射和晶胞参数指标化软件,初步研究了薄膜热膨胀特性。实验结果表明:磁控溅射沉积制备的这种薄膜为非晶态,表面平滑、致密,随着热处理温度的升高,薄膜开始结晶且膜层颗粒增大,在950℃热处理10m
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