厦大自主研发的新型宽带隙半导体材料为深紫外光子学的发展提供了新的思路和方向。它的“秘诀”在于材料纯度和结构质量高，通过其中激子和光子的相互转化特性可以轻松实现深紫外光的发射，从而大大提升激光器件的发光能效。近期，相关研究成果刊登在《自然》出版集团旗下的在线开放刊物《科学报道》上。　　据了解，这项成果出自厦大物理与机电工程学院康俊勇教授课题组，该课题组长期致力于研究深紫外光宽带隙半导体，这也是近年来物理学界的一个热门研究领域。所谓深紫外光，是指波长短于280 nm 的紫外线。这种光源波长短、频率高，可在水及空气净化、疾病治疗、信息技术等领域发挥独特作用。传统的深紫外光源通常由高压汞灯产生，体积大、电压高、毒性大，而用氮化铝基宽带隙半导体来产生深紫外光，一般体积不足米粒大、只要数伏特、无毒无害，且寿命长数百倍。