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叙述了动态应力下ＭＯＳ器件和电路的热载流子效应及可靠性研究进展。对当前ＭＯＳ电路中的动态应力热载流子退化现象及其物理机制进行了详细论述，为动态应力下ＣＭＯＳ电路热载流子可靠性研究奠定了基础。还对动态应力热载流子可靠性的准静态表片方法进行了讨论，
动态应力下MOSFET的热载流子效应与可靠性
【摘 要】
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叙述了动态应力下ＭＯＳ器件和电路的热载流子效应及可靠性研究进展。对当前ＭＯＳ电路中的动态应力热载流子退化现象及其物理机制进行了详细论述，为动态应力下ＣＭＯＳ电路热载流子可靠性研究奠定
【机 构】
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西安电子科技大学,上海交通大学
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1998年4期
【基金项目】
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国防科技项研项目
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