光学加工对GaAs窗口晶体断裂模数的影响

来源 :稀有金属 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mengfan1229

【摘要】

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用四点弯曲法测量了GaAs晶体断裂模数,其结果表明加工方法是影响GaAs晶体断裂模数测量值的重要因素.切割加工的GaAs晶体的断裂模数最低,研磨加工GaAs晶体的断裂模数其次,机械

【作者】

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黎建明屠海令郑安生

【机构】

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北京有色金属总院国家半导体材料工程研究中心

【出处】

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稀有金属

【发表日期】

：

2002年6期

【关键词】

：

光学加工断裂模数损伤层二氧化碳激光器砷化镓 GaAs optical processing modulus of rupture damaged

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用四点弯曲法测量了GaAs晶体断裂模数,其结果表明加工方法是影响GaAs晶体断裂模数测量值的重要因素.切割加工的GaAs晶体的断裂模数最低,研磨加工GaAs晶体的断裂模数其次,机械抛光的断裂模数再其次,而机械抛光后再化学抛光的GaAs晶体的断裂模数平均值最高,其平均值约为135 MPa.光学加工表面损伤层及损伤层中的缺陷、裂纹和应力将导致GaAs晶体的断裂模数值下降.

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