混合嵌入式DRAM技术

来源 :集成电路通讯 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangtingzhi2009
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
其他文献
针对CMOS集成电路制造工艺中出现的阈值电压漂移问题,通过对大量工艺实验数据的统计分析,提出了电路失效模型,又运用理论分析,找出了问题的原因所在。据此改进了设计和工艺,并经实
介绍了热壁低压化学气相淀积(HWLPCVD)多晶硅簿膜的结构,电子,光学和腐蚀性能。
介绍了一种高压静电发生器电路。该电路采用集成电路设计,结构简单,性能稳定、中靠。
气密性封装在CMOS单片集成电路军标线认证工作中是一项重要的内容,文中介绍了采用旧的高温扩散炉,实现Au-Sn合金焊料的IC密封烧结,其产品的密封质量满足GJB548A-96方法中1014A的
讨论了刻蚀设备的本底真空度、腔室衬底温度对铝刻蚀速率、各向异性、选择性和光刻胶完整性等主要参数的影响。还了为队去残余物和防止Al浸蚀而采取的一些措施和方法。
PhotoMOS继电器是电子继电器中的一种,它体积小,导通电阻极低的优点是其它类型继电器所不能比拟的,文中介绍了一种Photo MOS继电器在实际工作中的应用。
介绍了研制中的测辐射热计的工作原理,器件结构的几何形状和研制状况,叙述了测辐射热计材料的特征及制备技术。
介绍了多芯片组件(MCM)可靠性的研究方法和关键技术,指出多芯片组件(MCM0可靠性研究应以失效物理评价方法为主。