PMOS剂量计的稳定性研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qianchuanzhishui
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在室温条件下,研究了辐照偏置、总剂量和剂量率对PMOS主剂量计辐剂量记录-阈电压的稳定性影响,观察了辐射后阈电压在不同机偏条件下的变化趋势和幅度,分析认为慢界面陷阱中电荷的“充放电”是造成不稳定的首要原因,结果表明,该种由慢界面态造成的阈电压变化在每次开机测量下具有重复性,讨论了在PMOS剂量计中提高稳定性的办法。
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