【摘 要】
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采用第一性原理和电子连续方程方法,研究了p层厚度和In的掺杂浓度对单结InxGa1-xN太阳电池性能的影响。计算结果表明:p层厚度从0.05μm增加到0.07μm,In0.1Ga0.9N电池的转换
【机 构】
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广西民族师范学院物理与电子工程学院,延安大学物理与电子信息学院
【基金项目】
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广西高校中青年教师基础能力提升项目(2017KY0831).
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采用第一性原理和电子连续方程方法,研究了p层厚度和In的掺杂浓度对单结InxGa1-xN太阳电池性能的影响。计算结果表明:p层厚度从0.05μm增加到0.07μm,In0.1Ga0.9N电池的转换效率缓慢增大;当p层厚度从0.07μm逐渐增大到0.25μm时,太阳电池的转换效率逐渐减小。当In掺杂浓度在0.5~0.7范围内逐渐增大时,短路电流密度逐渐增大,开路电压逐渐减小。当In的掺杂浓度为0.63时,转换效率达到最大,为19.80%,填充因子为0.82。因此,通过调节p层厚度和改变In掺杂浓度的方法可以
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