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通过观测硅光电二极管的双光子响应和Al/Si肖特基势垒处的光生电压的各向异性，从实验和理论两个方面证实了肖特基垫垒所产生的内建电场在硅光电探测器中诱发光整流现象，从而推论硅光电二极管的双光子响应机制中必然存在相位失配的倍频吸收。如果内建电场足够强，倍频吸收将成为双光子响应的主要机制。这与传统的认为双光子响应就是双光子吸收的观点不同。