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用扫描隧道显微镜研究了Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于Ge在Si(111)-(7×7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点.
Si(111)-(7 7)表面上Ge量子点的自组织生长
【摘 要】
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用扫描隧道显微镜研究了Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于G
【机 构】
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中国科学院物理研究所凝聚态物理中心
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家自然科学基金;
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