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首先介绍了宽温区(27～300°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型;进而给出了室温下MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法,最后提出了利用线性区I-V特性方程测定宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的方法,并给出了测试结果.
宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法
【摘 要】
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首先介绍了宽温区(27～300°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型;进而给出了室温下MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法,最后提出
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2001年4期
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