【摘 要】
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在大气中，利用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在氢钝化的Ｓｉ（１１０）表面直接进行化学改性，形成了２０～６０ｎｍ的ＳｉＯ线条．通过化学腐蚀，成功地将该ｎｍ线条转移到Ｓｉ基片上．实验证明，经ＳＴＭ改性的ＳｉＯ可以作为腐蚀掩膜，利用此氧化膜可以在Ｓｉ表面
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在大气中，利用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在氢钝化的Ｓｉ（１１０）表面直接进行化学改性，形成了２０～６０ｎｍ的ＳｉＯ线条．通过化学腐蚀，成功地将该ｎｍ线条转移到Ｓｉ基片上．实验证明，经ＳＴＭ改性的ＳｉＯ可以作为腐蚀掩膜，利用此氧化膜可以在Ｓｉ表面构造ｎｍ尺度图形结构，从而为研究构造具有量子效应的微器件工艺奠定了基础．
In the atmosphere, the hydrogen passivated Si (110) surface was directly chemically modified using a scanning tunneling microscope (STM) to form 20-60 nm SiO lines. The nm line was successfully transferred onto the Si substrate by chemical etching. Experiments show that the STM modified SiO can be used as an etching mask, and the oxide film can be used to form a nanoscale graph structure on the Si surface, thereby laying a foundation for the study of the structure of a quantum device with micro-effect.
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