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通过对p型CdZnTe（111）面的结构分析,用真空蒸发法在p型CdZnTe晶体（111）面制备出Au/Zn复合电极,运用金相显微镜、AFM测试、SEM剖面观察、EDS成分分析、I-V特性测试及势垒高度计算等多种手段研究了Au/Zn复合电极对金属和半导体接触性能的影响。结果表明,在P型CdZnTe（111）A面蒸镀Au电极,在B面蒸镀Au/Zn复合电极时获得的势垒高度最低,有效减小了富Te面对金半接触的影响。Au/Zn复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能。